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龙图腾网恭喜北京交通大学申请的专利自组装全向高温振动传感阵列及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115096430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210687914.4，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权自组装全向高温振动传感阵列及制作方法是由邓涛;郭玉玮设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本自组装全向高温振动传感阵列及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于二维晶体压电材料的自组装全向高温振动传感阵列，属于振动传感器技术领域，其中每个单元包括单晶硅衬底；形成于单晶硅衬底上的应力层；形成于应力层上的异质结，异质结包括顺序设置的栅电极、介电层、二维晶体压电材料层、位于二维晶体压电材料层上下边线两侧的源电极、漏电极和纳米防护层；利用应力层驱动，将异质结自组装为一种呈卷曲状的半圆形三维结构。在上述结构上进行多层≥3圆周阵列，得到三维自组装全向压电振动传感阵列结构。本发明还公开一种基于二维晶体压电材料的自组装全向高温振动传感阵列的制作方法。通过单片集成实现了全向振动传感器的微型化，同时还实现了高灵敏度、宽量程和耐高温检测。

本发明授权自组装全向高温振动传感阵列及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维晶体压电材料的自组装全向高温振动传感阵列，其特征在于，包括：单晶硅衬底1；在所述单晶硅衬底1上形成牺牲层；形成于所述单晶硅衬底1上的应力层3；所述应力层3覆盖在所述牺牲层上；在所述应力层3上制作有栅电极4，在应力层3及栅电极4上有介电层5，介电层5上覆盖有二维晶体压电材料层6，在二维晶体压电材料层6上分别位于二维晶体压电材料层上下边线两侧制作有源电极7和漏电极8，在源电极7和漏电极8上覆盖有纳米防护层9；其中，所述栅电极4、介电层5、二维晶体压电材料层6、源电极7、漏电极8和纳米防护层9形成了一个带有栅、源、漏电极的平面二维介电层二维晶体压电材料纳米防护层异质结，应力层3使得带有栅、源、漏电极的平面二维介电层二维晶体压电材料纳米防护层异质结在牺牲层被刻蚀后自组装为半圆形三维结构；对所述半圆形三维结构进行大于等于3层圆周阵列，得到三维自组装全向压电振动传感器阵列结构10。

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