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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种多晶硅线宽控制方法及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111519835.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种多晶硅线宽控制方法及其装置是由唐在峰;许进;昂开渠;任昱设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶硅线宽控制方法及其装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种多晶硅线宽控制方法及其装置；通过多级的参数联动机制，以通用的APC（AutoProcessControl）提升了线宽控制的精度；在获取多晶硅线宽控制的联动参数集合后，依照制程工艺的需要，分批次进行参数的联动或优化；对于硬掩膜28nm及以下制程中的头对头显影和刻蚀过程中有源区的断路问题给出了有效的解决方案，对于多晶硅结构的氮化硅或金属掩膜及双大马士革等工艺均适用；可有效改善良率、提升线宽控制精度并提升器件电学性能。

本发明授权一种多晶硅线宽控制方法及其装置在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅线宽控制方法，其特征在于，包括：获取联动参数集合（200）；所述联动参数集合（200）包括第一联动参数（201）、第二联动参数（202）直至第N联动参数（20N）；其中，N为大于或等于4的自然数；所述第一联动参数（201）包括第一联动第一参量（211）和第一联动第二参量（212）；所述第二联动参数（202）包括第二联动第一参量（221）和第二联动第二参量（222）；依次类推，直至所述第N联动参数（20N）包括第N联动第一参量（2N1）和第N联动第二参量（2N2）；所述联动参数集合（200）用于刻蚀过程中约束条件的综合；所述约束条件包括，刻蚀制程的时间长度；关联所述第一联动第一参量（211）和所述第一联动第二参量（212），控制所述第一联动第一参量（211）和所述第一联动第二参量（212）的第一联动差值；所述第一联动差值依照线宽控制的控制精度确定或以预设值为目标值进行调节。

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