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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113272905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980088355.1，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备是由陈振刚;S·K·米拉瓦拉普;沈震雷;谢廷俊;C·S·光设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备在说明书摘要公布了：本文描述了与具有时变位错误率的存储器系统的存储器组件中的缺陷检测相关的实施例。处理装置进行错误恢复流程ERF以恢复数据单元，所述数据单元包括数据和指示何时写入所述数据单元的写入时间戳。所述处理装置使用对应于所述读取操作的位错误率BER和所述数据单元中的所述写入时间戳来确定是否进行缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的缺陷。所述处理装置响应于所计算的W2R基于所述写入时间戳不期望所述BER条件来发起所述缺陷检测操作。所述处理装置能够使用ERF条件和所述写入时间戳来确定是否进行所述缺陷检测操作。所述处理装置响应于所计算的W2R基于所述写入时间戳不期望所述ERF条件来发起所述缺陷检测操作。

本发明授权用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种系统，其包括： 存储器组件；和 处理装置，其可操作地与所述存储器组件耦合，以： 在当前时间进行读取操作以读取数据单元，所述数据单元包括数据和指示所述数据单元何时被写入所述存储器组件的写入时间戳； 确定是否检测到错误恢复流程ERF条件，其中所述ERF条件响应于ERF响应于在所述读取操作中检测到一或多个错误来进行以恢复所述数据单元来检测； 确定是否检测到位错误率BER条件，其中所述BER条件响应于对应于所述读取操作的BER满足阈值标准来检测； 确定所述读取操作的写入到读取W2R延迟，其中所述W2R延迟包括所述读取操作的所述当前时间和指示所述数据单元何时被写入所述存储器组件的所述写入时间戳之间的差； 响应于检测到所述ERF条件或所述BER条件中的至少一个，确定所述W2R延迟是否在对应于初始读取电压水平的W2R延迟范围内，所述初始读取电压水平由所述读取操作使用以读取所述数据单元；和 响应于所述W2R延迟在所述W2R延迟范围内来发起缺陷检测操作，所述缺陷检测操作用于检测所述存储器组件中的时变缺陷。

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