恭喜华中科技大学宋海胜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种量子点红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496194.5，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权一种量子点红外探测器及其制备方法是由宋海胜;吕逸飞;杨霁设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测材料技术领域。该红外探测器自下而上依次包括：底电极、电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层和顶电极，所述电子传输层为铋基硫属化合物薄膜，所述铋基硫属化合物薄膜、量子点吸光层及空穴传输层形成N‑I‑P型异质结。本发明的量子点红外探测器弥补了探测截止波长≥2um的量子点红外探测器没有合适电子传输层的问题，并且制备的红外探测器结构简单，其性能高效、可重复性强、设备要求简单。
本发明授权一种量子点红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点红外探测器，自下而上依次包括：底电极2、电子传输层3、量子点吸光层4、空穴传输层5和顶电极6，其特征在于，所述电子传输层3为铋基硫属化合物薄膜，所述铋基硫属化合物薄膜、量子点吸光层及空穴传输层形成N-I-P型异质结，以使所述电子传输层3导带不高于所述量子点吸光层4导带，且两者导带差小于0.2电子伏特；所述铋基硫属化合物薄膜通过采用快速热蒸发法在所述底电极2上沉积得到；且所述快速热蒸发法的实现方式为：将所述底电极2倒置于铋基硫属化合物粉末上方0.1cm-2cm，设定所述底电极2的温度为30-400℃，蒸发温度为500-800℃，蒸发时间为10s-100s，抽真空至真空度不高于0.1Torr。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号