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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111434446.1，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列是由范奎奎;范潇飞;罗国清设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列在说明书摘要公布了：本发明公开一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列，包括多层介质基板；第一金属面；第二金属面；馈电网络；偶极子天线阵列；每个偶极子天线单元包括顶层偶极子臂、中间层偶极子臂、底层偶极子臂；第一金属面与顶层偶极子臂的一端连接；第二金属面与底层偶极子臂的一端相连；所述的馈电网络包括信号导带，金属化通孔；馈电网络输出端处信号导带直接与各偶极子天线单元的信号输入端连接；该天线阵列在恰当位置刻蚀一对缝隙，使得偶极子同时工作在半波长模式和1.5倍波长模式，大幅提高偶极子天线的阻抗带宽。该天线阵列采用SICL结构馈电，可以有效抑制偶极子天线的交叉极化，而且SICL结构工作在准TEM模式，无截止频率。

本发明授权一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列在权利要求书中公布了：1.一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列，为多层垂直排布结构，其特征在于包括：多层介质基板，其从上至下依次包括第一介质基板、第三介质基板、第二介质基板；第一金属面，其位于第一介质基板的上表面；第二金属面，其位于第二介质基板的下表面；馈电网络；偶极子天线阵列，其由2n个偶极子天线单元组成，n为大于等于2的自然数；其中，每个偶极子天线单元包括顶层偶极子臂、中间层偶极子臂、底层偶极子臂；所述的第一金属面的一侧面与各偶极子天线单元的顶层偶极子臂的一端连接，第一金属面用作偶极子的反射板；各偶极子天线单元的顶层偶极子臂的另一端悬空；所述的第二金属面的一侧面与各偶极子天线单元的底层偶极子臂的一端相连，第二金属面用作偶极子的反射板；各偶极子天线单元的底层偶极子臂的另一端悬空；所述的第三介质基板位于第一介质基板下表面；所述的馈电网络采用基片集成同轴线SICL馈电，所述SICL包括位于第三介质基板、第二介质基板间的信号导带，周期性分布在信号导带两侧以及馈电网络输出端侧的多个金属化通孔；所述的馈电网络拥有一个信号输入端，2n个信号输出端；上述2n个信号输出端处信号导带直接与各偶极子天线单元的信号输入端连接；各偶极子天线单元的信号输入端为中间层偶极子臂的一端；各偶极子天线单元的中间层偶极子臂的另一端悬空。

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