恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司闫春辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司申请的专利发光二极管以及发光二极管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556317.3，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权发光二极管以及发光二极管的制造方法是由闫春辉;蒋振宇;胡加辉;马爽设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管以及发光二极管的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管以及发光二极管的制造方法，该发光二极管包括应变补偿预备层以及以选择性生长方式层叠设置于应变补偿预备层上的应变补偿匹配发光区，其中应变补偿匹配发光区在应变补偿预备层和应变补偿匹配发光区的层叠方向的垂直方向上具有第一横截面尺寸，第一横截面尺寸和应变补偿匹配发光区与应变补偿预备层之间的晶格失配量设置成使得应变补偿匹配发光区内产生足够的应力，利用QCSE效应，进而使得应变补偿匹配发光区因QCSE效应所产生的红移量不小于25nm。通过上述方式，能够提升发光二极管的光效。
本发明授权发光二极管以及发光二极管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括应变补偿预备层以及以选择性生长方式层叠设置于所述应变补偿预备层上的应变补偿匹配发光区，其中所述应变补偿匹配发光区在所述应变补偿预备层和所述应变补偿匹配发光区的层叠方向的垂直方向上具有第一横截面尺寸，所述第一横截面尺寸和所述应变补偿匹配发光区与所述应变补偿预备层之间的晶格失配量设置成使得所述应变补偿匹配发光区内产生足够的应力，利用QCSE效应，进而使得所述应变补偿匹配发光区因QCSE效应所产生的红移量不小于25nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人纳微朗科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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