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恭喜中国科学院物理研究所胡勇胜获国家专利权

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龙图腾网恭喜中国科学院物理研究所申请的专利一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料、制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115332529B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110505342.9,技术领域涉及:H01M4/58;该发明授权一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料、制备方法和应用是由胡勇胜;刘渊;容晓晖;陈立泉设计研发完成,并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料、制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料、制备方法和应用。所述Mo掺杂的聚阴离子正极材料的化学通式为:NabMnxTiyMoaMzPO43;M为与Mo进行共掺杂的元素,包括:Fe3+,Zn2+,Mg2+,Ni2+,Li+,Al3+,Si4+,Zr4+,Cr3+,Nb5+,Sc3+中的一种或多种;元素Mo的价态为+6价,其中,Mo6+的掺杂降低了Na+的迁移势垒,所述Mo掺杂的聚阴离子正极材料中,Na+通过三种路径迁移,包括:从NASICON结构中的Na1位迁移到Na2位,穿过PO4四面体和MO6八面体之间的空隙,以及跨相邻MO6八面体之间的通道迁移,从而促使所述正极材料在脱嵌钠的过程中用于电荷补偿的Mn元素的价态在Mn2+‑Mn3+‑Mn4+之间转变。

本发明授权一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料、制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种Mo掺杂的聚阴离子正极材料,其特征在于,所述Mo掺杂的聚阴离子正极材料由化学通式为NabMnxTiyMoaMzPO43的Mo掺杂的材料和无定形碳包覆材料组成;其中,a=0.01~0.2,b=2.5~4.0,x=0.8~1.5,y=0.5~1.2,z=0~0.5;M为与Mo进行共掺杂的元素,包括:Fe3+,Zn2+,Mg2+,Ni2+,Li+,Al3+,Si4+,Zr4+,Cr3+,Nb5+,Sc3+中的一种或多种;元素Mo的价态为+6价,其中,Mo6+的掺杂降低了Na+的迁移势垒,所述Mo掺杂的聚阴离子正极材料中,Na+通过三种路径迁移,包括:从NASICON结构中的Na1位迁移到Na2位,穿过PO4四面体和MO6八面体之间的空隙,以及跨相邻MO6八面体之间的通道迁移,从而促使所述正极材料在脱嵌钠的过程中用于电荷补偿的Mn元素的价态在Mn2+-Mn3+-Mn4+之间转变。

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