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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110008411.5，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法是由陈春元;王俊智;曾晓晖;刘人诚;施俊吉;丁世泛;吴尉壮;江彦廷;廖家庆;陈彦瑜设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极漏极区及第二源极漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极漏极区与第二源极漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。

本发明授权垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直栅极场效晶体管器件，包括：半导体衬底，包括前侧及后侧；第一源极漏极区及第二源极漏极区，位于所述半导体衬底的所述前侧上；栅极电极结构，配置在所述半导体衬底的所述前侧之上且包括：水平部分，配置在所述半导体衬底的所述前侧之上以及所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区之间；第一垂直部分，在第一方向上从所述半导体衬底的所述前侧朝所述半导体衬底的所述后侧延伸，且接触所述栅极电极结构的所述水平部分；第二垂直部分，在所述第一方向上从所述半导体衬底的所述前侧朝所述半导体衬底的所述后侧延伸，接触所述栅极电极结构的所述水平部分，且通过所述半导体衬底的沟道区而与所述第一垂直部分分隔开；第三垂直部分，从所述半导体衬底的所述前侧朝所述半导体衬底的所述后侧延伸，其中所述第一垂直部分的第一侧通过所述第三垂直部分连接到所述第二垂直部分的第一侧；以及第四垂直部分，从所述半导体衬底的所述前侧朝所述半导体衬底的所述后侧延伸，其中所述第一垂直部分的第二侧通过所述第四垂直部分连接到所述第二垂直部分的第二侧，其中所述栅极电极结构的所述第一垂直部分及所述第二垂直部分直接位于所述栅极电极结构的所述水平部分之下，且其中所述栅极电极结构的所述第三垂直部分及所述第四垂直部分不直接位于所述栅极电极结构的所述水平部分之下。

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