恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张静获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011523366.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构的清洗方法是由张静设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的清洗方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的清洗方法，包括：提供衬底，所述衬底包括功能面和与功能面相对的背面；在衬底功能面上形成流体钝化膜；形成流体钝化膜之后，采用湿法清洗工艺对所述衬底功能面表面进行第一去电荷处理；在进行第一去电荷处理之后，对所述衬底表面进行主清洗。所述方法清洗后的半导体结构性能得到改善。
本发明授权半导体结构的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的清洗方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括功能面和与功能面相对的背面；采用喷淋工艺在衬底功能面上形成流体钝化膜，所述流体钝化膜为绝缘材料；形成流体钝化膜之后，采用湿法清洗工艺对所述衬底功能面表面进行第一去电荷处理，所述湿法清洗工艺包括第一阶段和第一阶段之后的第二阶段，在所述第一阶段中，所述湿法清洗工艺的溶液形成的液膜覆盖于流体钝化膜表面，所述流体钝化膜能够与衬底和所述湿法清洗工艺的溶液形成的液膜形成电容结构；在所述第二阶段中，所述湿法清洗工艺的溶液形成的液膜与流体钝化膜相溶，形成混合溶液膜，所述混合溶液膜位于衬底功能面表面，所述液膜的浓度大于所述混合溶液膜的浓度；在进行第一去电荷处理之后，对所述衬底表面进行主清洗。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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