恭喜意法半导体国际有限公司S·J·阿梅德获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体国际有限公司申请的专利具有小面积和高效纵横比的SRAM布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501881.7，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权具有小面积和高效纵横比的SRAM布局是由S·J·阿梅德;K·J·多里设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有小面积和高效纵横比的SRAM布局在说明书摘要公布了：实施例公开了具有小面积和高效纵横比的SRAM布局。一种存储器单元，包括一组有源区，该有源区与一组栅极区交叠以形成成对的交叉耦合反相器。第一有源区沿第一轴线延伸。第一栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第一晶体管。第二栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第二晶体管。第二有源区沿第二轴线延伸并与第一栅极区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第三晶体管。第四有源区沿第三轴线延伸并与栅极区交叠，以形成读取端口的晶体管。
本发明授权具有小面积和高效纵横比的SRAM布局在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括：成对的交叉耦合反相器，包括：第一晶体管，包括沿着第一轴线延伸的第一有源区、以及横向于所述第一轴线延伸并与第一有源区交叠的第一栅极区；第二晶体管，包括横向于所述第一轴线延伸并与所述第一有源区交叠的第二栅极区，所述第二栅极区沿着所述第一轴线与所述第一栅极区间隔开；第三晶体管，包括沿第二轴线延伸并与所述第一栅极区交叠的第二有源区，其中所述第一有源区跨所述存储器单元的第一边、以及所述存储器单元的与所述第一边相对的第二边延伸；以及第四晶体管，包括沿着第三轴线延伸并与所述第二栅极区交叠的第三有源区；虚设晶体管，包括与所述第一有源区交叠的第三栅极区，所述第三栅极区被定位成相邻于所述第一边；以及第一读取端口，包括沿着第四轴线延伸的第四有源区，所述第四有源区与所述第一栅极区交叠。
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