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龙图腾网恭喜赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011402434.6，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备是由张拴;郭鹏飞;马琳;陆原设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备，该方法包括：对晶圆基底的背面进行打薄处理，使得晶圆基底的厚度达到设定厚度，晶圆基底设置有孔道，孔道中填充有铜柱，设置有孔道的一面为正面，与正面相对的一面为背面；对晶圆基底的背面做图形化处理，并对晶圆基底的背面进行刻蚀得到凹槽，通过凹槽露出晶圆基底的孔道中的铜柱；在凹槽中制备接触金属层，得到晶圆电极；选取两个晶圆电极，在其中一个晶圆电极的接触金属层表面制备介电材料层；介电材料层的介电常数大于200C2N·M2；将两个晶圆电极键合形成晶圆电容，介电材料层位于两个晶圆电极的接触金属层之间。本发明提供的晶圆电容可以耐高压，不容易被击穿。

本发明授权一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆电容的制作方法，其特征在于，包括：对晶圆基底的背面进行打薄处理，使得所述晶圆基底的厚度达到设定厚度，所述晶圆基底设置有孔道，所述孔道中填充有铜柱，所述晶圆基底上设置有孔道的一面为正面，与所述正面相对的一面为所述背面；对所述晶圆基底的背面图形化处理，并对所述晶圆基底的背面进行刻蚀得到凹槽，通过所述凹槽露出所述晶圆基底的孔道中的铜柱；在所述凹槽中制备接触金属层，得到晶圆电极；选取两个所述晶圆电极，在其中一个所述晶圆电极的所述接触金属层表面制备介电材料层，所述介电材料层的介电常数大于200C2N·M2；将两个所述晶圆电极键合形成晶圆电容，所述介电材料层位于两个所述晶圆电极的接触金属层之间；其特征在于，所述在所述凹槽中制备接触金属层，得到晶圆电极，包括：在所述凹槽的表面依次制备第一铜层、第二铜层、镍层以及金层，形成所述接触金属层；所述在所述凹槽的表面依次形成第一铜层、第二铜层、镍层以及金层，包括：在所述凹槽底面及侧壁形成所述第一铜层，在所述第一铜层表面以及所述凹槽侧壁形成所述第二铜层，在所述第二铜层表面形成所述镍层，以及在所述镍层表面形成所述金层；所述凹槽侧壁的所述第二铜层厚度，与所述凹槽底面的所述第二铜层厚度的比例在1:5～1:10之间；所述在所述凹槽的表面依次制备第一铜层、第二铜层、镍层以及金层，还包括：在通过溅射方法在所述凹槽底面及侧壁形成所述第一铜层，通过电镀方法在所述第一铜层表面以及所述凹槽侧壁形成所述第二铜层之后，通过湿法刻蚀的方法去除所述凹槽侧壁上的所述第一铜层和所述第二铜层。

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