恭喜高通股份有限公司C·郭获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利偏置栅极触点获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065494.5，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权偏置栅极触点是由C·郭;杨海宁;袁骏;K·雷姆设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本偏置栅极触点在说明书摘要公布了：根据栅极的新位置，偏移或调制在两个晶体管之间的栅极位置可以实现较低功率电路和较高速度电路。在一个实例中，PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向PFET晶体管偏移，以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路更高速的电路。在另一实例中，PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向NFET晶体管偏移，以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路低的功率电路。
本发明授权偏置栅极触点在权利要求书中公布了：1.一种电路，包括：第一晶体管，耦合到电源电压，所述第一晶体管包括栅极区、源极触点和漏极触点；第二晶体管，耦合到接地，所述第二晶体管包括栅极区、源极触点和漏极触点；第一栅极触点，其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管，其中所述第一栅极触点在从所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的中心点偏移的第一位置处；以及第二栅极触点，其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管，其中所述第二栅极触点在第二位置处，所述第二位置与所述第一位置相反地从所述中心点偏移，并且所述第二栅极触点不连接到所述第二栅极触点的层之上的任何金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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