恭喜旺宏电子股份有限公司陈亮瑜获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利三维结构三态内容可寻址存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113972215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010782603.7,技术领域涉及:H10B51/30;该发明授权三维结构三态内容可寻址存储器是由陈亮瑜设计研发完成,并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维结构三态内容可寻址存储器在说明书摘要公布了:本发明揭露一种三维结构三态内容可寻址存储器,其包括一第一晶体管层、一第二晶体管层、一第三晶体管层及一第四晶体管层。第一晶体管层设置于一第一平面,沿平行于第一平面的一第一方向延伸。第二晶体管层设置于第一平面,平行于第一晶体管层,沿第一方向延伸。第三晶体管层在垂直于第一平面的一第二方向堆叠于第一晶体管层。第四晶体管层在第二方向堆叠于第二晶体管层。第一晶体管层、第二晶体管层、第三晶体管层及第四晶体管层的其中之二为三态内容可寻址存储器的一第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管。第一晶体管层、第二晶体管层、第三晶体管层及第四晶体管层的其中另二为三态内容可寻址存储器的一第二存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管。
本发明授权三维结构三态内容可寻址存储器在权利要求书中公布了:1.一种三维结构三态内容可寻址存储器,包括:一第一晶体管层,设置于一第一平面,沿平行于该第一平面的一第一方向延伸;一第二晶体管层,设置于该第一平面,平行于该第一晶体管层,沿该第一方向延伸;一第三晶体管层,在垂直于该第一平面的一第二方向堆叠于该第一晶体管层;以及一第四晶体管层,在该第二方向堆叠于该第二晶体管层,其中该第一晶体管层、该第二晶体管层、该第三晶体管层及该第四晶体管层的其中之二为该三态内容可寻址存储器的一第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管,该第一晶体管层、该第二晶体管层、该第三晶体管层及该第四晶体管层的其中另二为该三态内容可寻址存储器的一第二存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管;其中,该第一晶体管层、该第二晶体管层、该第三晶体管层及该第四晶体管层的其中之二为该三态内容可寻址存储器的一第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管,具体包括:第一晶体管、第二晶体管分别为第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管;或第三晶体管、第四晶体管分别为第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管;或在第一晶体管与第三晶体管的掺杂类型不一致时,第一晶体管、第三晶体管分别为第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管;或在第二晶体管与第四晶体管的掺杂类型不一致时,第二晶体管、第四晶体管分别为第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管。
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