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龙图腾网恭喜华北电力大学申请的专利一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113805023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010460936.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统是由邓二平;张一鸣;郭佳奇;陈杰;赵雨山;赵志斌;崔翔设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。

本发明授权一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统在权利要求书中公布了：1.一种压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，其特征在于，用于测量压接型功率半导体器件的温度分布；所述温度分布测量系统包括：第一电流源、测试支路开关、第二电流源、时序驱动电路和探头；所述第一电流源、所述测试支路开关和待测压接型功率半导体器件依次串联，以构成加热通路；所述第一电流源用于提供加热电流；所述测试支路开关用于控制所述加热通路的开启和关断；所述第二电流源和所述探头均与所述待测压接型功率半导体器件并联；所述第二电流源用于提供测量电流；所述探头用于测量所述待测压接型功率半导体器件的饱和压降；压接型功率半导体器件包括：多个子模组、多个凸台和PCB板；所述子模组一一对应设置在所述凸台上；所述PCB板上设置有多个通孔，且所述凸台设置于所述通孔中；所述PCB板上设置有多个接口端子；所述子模组包括：上钼片、半导体芯片和下钼片；所述半导体芯片设置于所述上钼片和所述下钼片之间；所述半导体芯片的栅极与所述PCB板上的接口端子一一对应连接；所述PCB板用于对每一所述子模组进行驱动；所述上钼片与所述下钼片形成应力缓冲区；所述时序驱动电路通过外接引线与所述待测压接型功率半导体器件中PCB板上的接口端子连接；所述时序驱动电路用于控制所述待测压接型功率半导体器件中各半导体芯片的导通和关断；在不同周期的待测压接型功率半导体器件的降温过程中，驱动信号的时序控制电流源的电流依次流经各半导体芯片，同时，通过电压探头实时记录待测压接型功率半导体器件两端饱和压降的数值。

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