恭喜英飞凌科技股份有限公司T·纳耶夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利芯片封装及其形成方法、半导体器件及其形成方法、半导体装置及其形成方法、三相系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816572B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010278971.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权芯片封装及其形成方法、半导体器件及其形成方法、半导体装置及其形成方法、三相系统是由T·纳耶夫;R·奥特伦巴;T·沙夫;M·丁克尔;M·格鲁贝尔;E·卡赫里曼诺维奇设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装及其形成方法、半导体器件及其形成方法、半导体装置及其形成方法、三相系统在说明书摘要公布了：本发明提供了芯片封装。所述芯片封装可以包括：半导体芯片，其在正面上包括第一连接焊盘和第二连接焊盘；载体，其包括焊盘接触区域和凹陷；包封材料，其包封半导体芯片；第一外部连接，其没有包封材料或延伸出包封材料；导电夹具；以及接触结构，其中，半导体芯片被布置为使其正面面对载体，其中第一连接焊盘在凹陷之上，并且第二连接焊盘接触焊盘接触区域，其中，夹具布置在半导体芯片的背面之上，覆盖半导体芯片，在半导体芯片处，夹具在凹陷之上延伸，并且其中，导电接触结构将第一连接焊盘与第一外部连接导电连接。
本发明授权芯片封装及其形成方法、半导体器件及其形成方法、半导体装置及其形成方法、三相系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装，包括：半导体芯片，其在正面上包括第一连接焊盘和第二连接焊盘；载体，其包括焊盘接触区域和凹陷；包封材料，其用于包封所述半导体芯片；第一外部连接，其没有所述包封材料或延伸出所述包封材料；导电夹具；以及接触结构；其中，所述半导体芯片被布置成使其正面面对所述载体，其中所述第一连接焊盘在所述凹陷之上，并且所述第二连接焊盘接触所述焊盘接触区域；其中，所述夹具被布置在所述半导体芯片的背面之上，覆盖所述半导体芯片，在所述半导体芯片处，所述夹具在所述凹陷之上延伸；并且其中，所述接触结构将所述第一连接焊盘与所述第一外部连接导电连接。
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