恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司于海龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利互连结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010120829.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权互连结构及其形成方法是由于海龙;谭晶晶;荆学珍;雒建明设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种互连结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，衬底包括有源区；在衬底上形成介质层，介质层具有贯穿介质层的开口，开口暴露有源区的表面；在开口的底部形成第一金属层；形成第一金属层之后，对第一金属层中的顶部区域进行钝化处理，形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层之后，进行退火处理，使开口底部剩余的第一金属层与有源区表面的材料反应以形成金属硅化物层；在形成金属硅化物层之后，在第一阻挡层的表面、开口的侧壁形成第二阻挡层；以及在形成第二阻挡之后，在开口中形成填满开口的第二金属层。本申请所公开的互连结构及其形成方法提高了互连结构的性能。
本发明授权互连结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述衬底上形成介质层，所述介质层具有贯穿所述介质层的开口，所述开口暴露所述有源区的表面；在所述开口的底部形成第一金属层，所述开口的侧壁不形成所述第一金属层；形成所述第一金属层之后，通过含氮的等离子体处理所述第一金属层的顶部区域，使所述第一金属层的一部分形成第一阻挡层；在形成所述第一阻挡层之后，进行退火处理，使所述开口底部剩余的第一金属层与所述有源区表面的材料反应以形成金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层之后，在所述第一阻挡层的表面、所述开口的侧壁形成第二阻挡层；以及在形成所述第二阻挡之后，在所述开口中形成填满所述开口的第二金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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