恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈季丞获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110875424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910743525.7,技术领域涉及:H10N50/01;该发明授权半导体装置结构的制造方法是由陈季丞;黄伟立;郭建志;黄宏麟;古进誉;陈承先设计研发完成,并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构的制造方法在说明书摘要公布了:一种半导体装置结构和制造方法。上述方法包括形成一粘着层于一半导体基底上,且形成一磁性元件于粘着层上。上述方法还包括形成一隔离元件而延伸跨越磁性元件。隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面,且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。上述方法还包括局部去除粘着层,使得粘着层的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外,上述方法包括形成一导线于隔离元件上。
本发明授权半导体装置结构的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置结构的制造方法,包括:形成一粘着层于一半导体基底上;形成一磁性元件于该粘着层上;形成一隔离元件而延伸跨越该磁性元件,其中该隔离元件局部覆盖该磁性元件的上表面,且局部覆盖该磁性元件的多个侧壁表面;局部去除该粘着层,使得该粘着层的一边缘横向设置于该磁性元件的一边缘与该隔离元件的一边缘之间;以及形成一导线于该隔离元件上。
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