恭喜世界先进积体电路股份有限公司林光明获国家专利权
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龙图腾网恭喜世界先进积体电路股份有限公司申请的专利基底及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910423389.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基底及其制造方法是由林光明;林永丰设计研发完成，并于2019-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基底及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基底及其制造方法，其中基底包含陶瓷芯、第一黏着层、阻障层和第二黏着层。第一黏着层包覆陶瓷芯且包含硅的氮氧化物，其中第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第一比例。阻障层包覆第一黏着层且包含硅的氮氧化物，其中阻障层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第二比例，且第二比例与第一比例不同。第二黏着层包覆阻障层且包含硅的氮氧化物，其中第二黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第三比例，且第三比例与第二比例不同。
本发明授权基底及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基底，其特征在于，包括：一陶瓷芯；一第一黏着层，包覆该陶瓷芯且包括硅的氮氧化物，其中该第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第一比例；该第一比例氧的原子数大于氮的原子数；一阻障层，包覆该第一黏着层且包括硅的氮氧化物，其中该阻障层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第二比例，该第二比例氧的原子数小于氮的原子数，且该第二比例与该第一比例不同；一第二黏着层，包覆该阻障层且包括硅的氮氧化物，其中该第二黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第三比例，该第三比例氧的原子数大于氮的原子数，且该第三比例与该第二比例不同；以及一导电层，设置于该第二黏着层的一底表面上，其中该导电层的最外侧壁与该第二黏着层的最外侧壁共平面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人世界先进积体电路股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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