恭喜江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学龚玉峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学申请的专利用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031670.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法是由龚玉峰;陈正;李更;吕复强;张奎;童媛;姚大平设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片；通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球；将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合，热压键合的温度为250~270℃，压力为200‑300gf，时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。
本发明授权用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，包括：熔炼高熵合金，所述高熵合金具有面心立方结构；轧制所述高熵合金，总压下量为80-90%，轧制后在所述高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚度为1-3μm的高熵合金贴片；通过植球回流的方法使锡球熔化、并与芯片的铜柱熔接成焊球；将所述高熵合金贴片和所述焊球在热压条件下进行热压键合，所述热压键合的温度为250~270℃，压力为200-300gf，时间为20~30min。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学，其通讯地址为：221001 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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