山东志伟环保科技有限公司牛凯获国家专利权
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龙图腾网获悉山东志伟环保科技有限公司申请的专利应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119330308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411884071.2,技术领域涉及:C01B13/10;该发明授权应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置是由牛凯;马洪波;刘毅;刘金旭;徐广龙设计研发完成,并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置在说明书摘要公布了:本申请涉及臭氧压缩的技术领域,尤其是涉及一种应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置,其中包括以下步骤:气体压缩:将气体压缩形成有压初始气;吸附分离:将有压初始气通入臭氧浓缩装置内,并均衡有压初始气浓度,设置两层吸附剂共同对臭氧进行吸附,并在吸附时,调节两层吸附剂的相对位置,改变气体冲刷位置,形成固定吸附和流动吸附相结合的方式;解吸:分离臭氧,并经过压缩形成高纯度臭氧浓缩气;其中装置包括:塔体、吸附剂层、用于供气的进气管、用于排气的排气管、滑移于进气管内用于调节进气管供气的封板、用于带动封板滑移的滑移机构和用于分离解吸臭氧的排气模块。本申请具有减少对臭氧浓缩气纯度的影响的效果。
本发明授权应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置在权利要求书中公布了:1.一种应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩装置,其特征在于:包括:塔体(100),内部开设并形成有反应腔(110);吸附剂层(200),设置于所述塔体(100)内,围绕所述塔体(100)的中轴线环形设置,且将所述反应腔(110)隔断为吸附腔(111)和杂气腔(112);进气管(300),设置于所述塔体(100)上,从所述塔体(100)的底部延伸至顶部,且位于所述吸附腔(111)内,开设有多个与所述吸附腔(111)连通的进气孔(310);排气管(400),设置于所述塔体(100)上,与所述杂气腔(112)连通,用于排出吸附完成后剩余的气体;封板(500),滑移于所述进气管(300)内,沿竖直方向开设有多个连通孔(510),所述连通孔(510)与所述进气孔(310)对应且连通,初始状态时,下端所述进气孔(310)与所述连通孔(510)错位封堵,随着所述封板(500)滑动,打开下端的所述进气孔(310);滑移机构(600),设置于所述进气管(300)上,与所述封板(500)连接,用于带动所述封板(500)滑移;排气模块(700),与所述吸附腔(111)连通,用于将吸附剂层(200)吸附的臭氧抽出,进行压缩;所述滑移机构(600)包括:转动环(610),转动设置于所述进气管(300)内,与所述封板(500)靠近所述塔体(100)底壁的一端抵接;第一凸起(620),设置于所述转动环(610)上,朝向所述封板(500),与所述封板(500)抵接;第二凸起(630),设置于所述封板(500)上,与所述第一凸起(620)或所述转动环(610)抵接;动力组件(640),设置于所述进气管(300)内,与所述转动环(610)连接,用于带动所述转动环(610)旋转;所述吸附剂层(200)包括:隔架(210),设置于所述塔体(100)的上端,将所述吸附腔(111)上端间隔为操作腔(113);第一网架(220),沿所述塔体(100)的长度方向滑移设置于所述塔体(100)内,且呈波浪型,且与所述隔架(210)滑移连接,其上设置有第一吸附剂层(240);第二网架(230),沿所述塔体(100)的长度方向滑移设置于所述塔体(100)内,且呈波浪型,其上设置有第二吸附剂层(250),所述第二吸附剂层(250)与所述第一吸附剂层(240)对应贴合,且能够沿竖直方向发生相对滑移;调节组件(260),设置于所述隔架(210)上,与所述第一网架(220)和所述第二网架(230)连接,用于带动所述第一网架(220)或所述第二网架(230)滑移;所述调节组件(260)包括:翘板(261),转动设置于所述隔架(210)上,一端与所述封板(500)连接,随着所述封板(500)转动;第一提拉板(262),设置有两个,分别与所述第一网架(220)和所述第二网架(230)一一对应,位于所述操作腔(113)内的一侧开设有滑移槽(266),滑移槽(266)的开设方向与所述第一网架(220)的滑动方向垂直;连接轴(263),设置于所述翘板(261)远离所述封板(500)的一端,滑移且转动于所述滑移槽(266)内。
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