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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884205.0，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺是由吴政达;廖玠诚设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺在说明书摘要公布了：本发明属于封装结构技术领域，特别涉及高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺。封装结构由DRAM02芯片~DRAM04芯片依次垂直堆叠在DRAM01芯片上形成，DRAM04芯片的正面有金属凸块；DRAM芯片被模塑料包覆形成模塑封装层，垂直通孔从内部贯穿封装结构，模塑料包括成品环氧树脂模塑料、环氧树脂、液晶聚合物、氧化铍、氮化硼纳米管、氧化锌、固化剂、催化剂、抗氧化剂、阻燃剂、自修复剂。本发明还提供了封装结构的具体制备工艺。本发明通过优化封装工艺和封装结构以及封装材料，不仅简化了工艺流程，降低了生产成本，还大幅提升了封装结构的散热性能和可靠性，满足了高性能DRAM封装的需求。

本发明授权高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺在权利要求书中公布了：1.一种高密度垂直堆叠DRAM封装结构的制备工艺，其特征在于，包括：在载体（1）上负载分离层（2），得到临时载体，将晶圆（3）的背面固定在临时载体上，分别得到DRAM01晶圆~DRAM04晶圆，晶圆（3）的正面有线路面（4）；使用模塑料进行封装模塑，在DRAM01晶圆~DRAM04晶圆上分别形成模塑封装层（5）；将模塑封装层（5）的正面减薄，露出可以连接的线路（6），分别得到研磨后的DRAM01晶圆~DRAM04晶圆；在研磨后的DRAM01晶圆~DRAM04晶圆表面沉积绝缘层（7），在绝缘层（7）制作出新的金属线路，将新的金属线路连接原来的可以连接的线路（6），形成重布线层（8），DRAM01晶圆作为底部DRAM（9）；将DRAM02晶圆~DRAM04晶圆从分离层（2）上脱离，切割为独立的DRAM02芯片（13）~DRAM04芯片（15）；将独立的DRAM02芯片（13）垂直堆叠在底部DRAM（9）上，独立的DRAM03芯片（14）垂直堆叠DRAM02芯片（13）上，独立的DRAM04芯片（15）垂直堆叠DRAM03芯片（14）上，如此形成一列堆叠芯片，在底部DRAM（9）上形成多列堆叠芯片；对于每列堆叠芯片，在DRAM02芯片（13）~DRAM04芯片（15）的模塑封装层（5）中形成垂直通孔（10），垂直通孔（10）贯穿模塑封装层（5），在垂直通孔（10）中沉积导电材料；在每列堆叠芯片的正面重新布线，先沉积绝缘层（7），在绝缘层（7）制作出新的金属线路，将新的金属线路连接原来的重布线层（8）和沉积的导电材料，形成每列堆叠芯片的重布线层（8）；在每列堆叠芯片的重布线层（8）上形成金属凸块（11）；将多列堆叠芯片的背面从分离层（2）上脱离，然后将多列堆叠芯片的金属凸块（11）固定在临时载板（12）上；将多列堆叠切割为单列堆叠，去除临时载板（12），得到高密度垂直堆叠DRAM封装结构。

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