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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866127.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件是由林楷睿设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池，具体提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件，该背接触太阳电池的制备方法中通过在待开口的第一半导体开口区或第二半导体开口区的膜层区域进行注氧，形成易被酸腐蚀的含氧膜层，从而形成与不注氧膜层区域有较大腐蚀速率的差异，再进行溶液腐蚀形成开口，这种开口方式不易损伤体硅层或者功能膜层，从而保证电池的转换效率。

本发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：S1、提供一双面抛光的硅片；S2、在硅片背面形成第一半导体层和掩膜层；所述第一半导体层包含第一隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层；S3、对硅片背面预设区域的掩膜层进行第一次注氧，然后进行溶液腐蚀，形成第二半导体开口区；所述注氧的宽度为400~600μm，注氧的深度为80~200nm，注入能量100keV~200keV，注入温度500℃~650℃，注入剂量为1×1017cm-2~1×1018cm-2，离子注入后形成的高掺杂氧的有效掺杂量为1×1018cm-3~1×1019cm-3；所述注氧的掩膜层与没有注氧的掩膜层在5%的HF酸液中的腐蚀速率比为1:5-15；S4、对上述硅片的正面和背面的第二半导体开口区进行制绒清洗；S5、在硅片背面形成第二半导体层；所述第二半导体层为第二隧穿氧化硅层与P型掺杂多晶硅层的叠层；S6、在硅片正面依次形成钝化层和减反层；S7、在硅片背面预设区域的第二半导体层进行第二次注氧腐蚀，形成第一半导体开口区；所述注氧的宽度为200-300μm，注氧的深度为50-90nm，所述注氧采用高温、大剂量氧离子注入，注入能量100keV~200keV，注入温度500℃~650℃，注入剂量为1×1017cm-2-1×1018cm-2，离子注入后形成的高掺杂氧的有效掺杂量为1×1018cm-3-1×1019cm-3；所述注氧的第二半导体层与没有注氧的第二半导体层在5%的HF酸液中的腐蚀速率比为1:3-12；S8、在硅片背面沉积导电膜层；S9、在硅片背面第三次刻蚀开口，形成绝缘槽；S10、在硅片背面第一半导体开口区与第二半导体开口区分别形成金属电极。

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