金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866126.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种背接触电池及其制备方法是由林楷睿设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池及其制备方法，通过在沉积第一半导体层和掩膜层中掺入一定比例的碳元素，使得第一半导体层和掩膜层的耐酸耐碱的耐腐蚀能力提高，从而有利于延长制绒时间；同时通过提高激光的刻蚀深度，延长制绒时间，形成凹陷式绒面结构第二半导体开口区，再进行局部抛光，削平四棱锥机构的尖端，在第二半导体开口区形成倒锥台形结构的绒面，有利于提高钝化效果和提高填充因子。
本发明授权一种背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：具有正面和背面的硅片；第一半导体层，布置在所述硅片的背面，所述第一半导体层包括依次形成于所述硅片上的隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层；所述N型掺杂多晶硅层中碳的掺杂浓度为5×1017cm-3-1×1019cm-3；第一半导体层被多个第二半导体开口区隔断，所述第二半导体开口区以及所述第二半导体开口区周边的第一半导体层表面均覆盖有第二半导体层，所述第二半导体层由本征非晶硅层与P型掺杂非晶层或P型微晶硅层组成；相邻的所述第二半导体开口区之间设有第一半导体开口区，所述第一半导体开口区将所述第二半导体层隔断；其中，位于所述第二半导体开口区的所述硅片表面为倒锥台形结构的绒面，所述绒面由所述第一半导体层经刻蚀和制绒清洗后制备得到，刻蚀时覆盖在所述第一半导体层上的掩膜层中碳的掺杂浓度为1×1017cm-3-9×1018cm-3，所述第二半导体层填充对应区域的所述绒面形成锥台形绒面结构。
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