恭喜索尼半导体解决方案公司万田周治获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113366656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080012286.9,技术领域涉及:H10F30/225;该发明授权光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置是由万田周治设计研发完成,并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置在说明书摘要公布了:根据本公开的一个实施方案的光接收元件1包括:半导体层,其包括复合半导体材料;第一杂质扩散区域12A,其设置在所述半导体层的一个表面上;和第二杂质扩散区域12B,其设置在所述第一杂质扩散区域12A的周围,并且具有比所述第一杂质扩散区域12A更低的杂质浓度。
本发明授权光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置在权利要求书中公布了:1.一种光接收元件,包括:半导体层,其包含化合物半导体材料;第一杂质扩散区域,其设置在所述半导体层的一个表面上;第二杂质扩散区域,其设置在所述第一杂质扩散区域的周围,所述第二杂质扩散区域的杂质浓度比所述第一杂质扩散区域的杂质浓度低;以及第一电极,其设置在所述半导体层的所述一个表面那一侧,所述第一电极电连接至所述半导体层,其中,所述半导体层在所述第一杂质扩散区域中具有凹槽,并且所述第一电极的一部分埋入并且设置在所述凹槽中。
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