恭喜半导体元件工业有限责任公司J·R-吉塔特获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利一种电路和一种电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910756653.5，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种电路和一种电子器件是由J·R-吉塔特设计研发完成，并于2019-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电路和一种电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电路和一种电子器件。在一方面，所述电路可包括第一HEMT、第二HEMT和可变电容器。所述第一HEMT的漏极可耦接到所述第二HEMT的源极。所述可变电容器的电极可耦接到所述第一HEMT的源极，并且所述可变电容器的另一电极可耦接到所述第二HEMT的栅极。在另一方面，所述电子器件可包括管芯，所述管芯包括HEMT和可变电容器。所述可变电容器的电极可耦接到所述HEMT的源极或栅极，并且所述可变电容器的另一电极可耦接到所述管芯的外部端子。在又一方面，所述电子器件包括管芯，其中所述管芯包括可变电容器、第一二极管和第二二极管。
本发明授权一种电路和一种电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电路，其特征在于，所述电路包括：第一高电子迁移率晶体管；第二高电子迁移率晶体管，其中，所述第一高电子迁移率晶体管的漏极耦接到所述第二高电子迁移率晶体管的源极；和第一可变电容器，其中，所述第一可变电容器的第一电极耦接到所述第一高电子迁移率晶体管的源极，并且所述第一可变电容器的第二电极耦接到所述第二高电子迁移率晶体管的栅极；所述电路还包括第一二极管和第二二极管，其中：所述第一二极管的阴极耦接到所述第一可变电容器的所述第二电极，所述第一二极管的阳极耦接到所述第二二极管的阳极，并且所述第二二极管的阴极耦接到所述第一高电子迁移率晶体管的所述漏极和所述第二高电子迁移率晶体管的所述源极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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