科尼亚克有限公司S·布尔获国家专利权
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龙图腾网获悉科尼亚克有限公司申请的专利用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112346296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910720035.5，技术领域涉及：G03F1/56；该发明授权用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法是由S·布尔;B·哈贝茨;金晥洙设计研发完成，并于2019-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法在说明书摘要公布了：本公开提供用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法及相应装置。使用曝光工具组件将光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，光致抗蚀剂层涂覆半导体衬底，并且其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集。对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影，其中，从所述光致抗蚀剂层形成了抗蚀剂图案。测量所述抗蚀剂图案的特征特性和或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性。响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差，更新所述当前曝光参数集。估计在不更新所述曝光参数集的情况下将形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息，可以改变对所述特征特性的测量策略或者可以更新所述当前曝光参数集。
本发明授权用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法在权利要求书中公布了：1.一种先进工艺控制方法，包括： 使用曝光工具组件将涂覆半导体衬底的光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集； 对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成抗蚀剂图案； 测量所述抗蚀剂图案的特征特性和或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性，并响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差来更新所述当前曝光参数集； 估计在不更新所述曝光参数集的情况下形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性；以及 响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息，通过修改采样计划而改变所述特征特性的测量策略，所述采样计划包括关于所述半导体衬底的表面上的采样点的位置信息，其中所述特征特性是在所述采样点处测量的，其中修改采样计划包括省略不会改善系统性能的采样点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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