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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111029405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910742197.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由全永斗;朴韩蔚;朴世镇;郑鲁永设计研发完成，并于2019-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出，所述有源区包括上部和下部；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的第一侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，栅极结构，分别设置在所述多个有源鳍和所述隔离结构上，所述栅极结构在所述第二方向上延伸；以及源极层漏极层，与所述栅极结构相邻地设置在所述多个有源鳍上，其中，所述有源区的所述第一侧壁被设置为与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上，其中，所述有源区的所述第一侧壁的上部、所述有源区的所述上部的上表面以及所述第一有源鳍的侧壁形成阶梯形状，并且其中，所述半导体器件还包括：突出部，在所述第一有源鳍与所述有源区的所述第一侧壁之间，并且所述源极层漏极层未设置在所述突出部上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。