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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210379216.8，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装是由成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修设计研发完成，并于2017-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在说明书摘要公布了：在一个实施例中公开了一种半导体器件及半导体器件封装。一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。

本发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层，其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括第1-1层、第1-2层以及第一金属层，所述第1-2层设置在所述第1-1层与所述第一金属层之间，所述第一金属层包括第一金属，所述第二层设置在所述第一金属层和所述第三层之间，所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数，所述第一金属层的厚度在所述第1-1层和所述第1-2层厚度之和的1.5倍-2.5倍的范围内，并且所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。

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