恭喜长鑫存储技术有限公司周步康获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811089071.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由周步康设计研发完成，并于2018-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在衬底中的源区和漏区之间形成栅极结构以构成晶体管，然后在栅极结构的底部形成调整区，通过增加晶体管的沟道的掺杂浓度以在沟道内形成一个势垒，从而阻挡漏电流的通过，进而减小了沟道漏电流，同时，由于势垒并不是很高，在栅极结构上施加一个较低的电压就可以越过势垒，基本不会影响半导体器件的其他电学特性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有源区及漏区；栅极结构，形成于所述源区和所述漏区之间的衬底中以构成晶体管；以及，调整区，位于所述栅极结构下方的衬底中，以增加所述晶体管的沟道的掺杂浓度；所述衬底中还形成有阱区，所述调整区位于所述阱区中；所述阱区的掺杂浓度小于所述源区和所述漏区；所述调整区掺杂的导电离子的浓度介于1E12atomscm2~1E13atomscm2；其中，所述调整区的横向宽度尺寸小于所述栅极结构的横向宽度尺寸。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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