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龙图腾网恭喜湖南汇思光电科技有限公司申请的专利一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119362136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411930583.8，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法是由杨骏捷;曾冬妮;付慧清;潘淑洁设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法在说明书摘要公布了：一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法，包括：S1、将N型衬底去除氧化层，并分别进行N型GaAs缓冲层、N型AlvGa1‑vAs限制层以及GaAs波导层一生长；S2、在GaAs波导层一上分别进行InwGa1‑wAs量子阱、InAs量子点、InxGa1‑xAs盖层、GaAs盖层、GaAs间隔层一等的生长；S3、循环S2设定次数，从而实现多层量子点材料的生长；S4、在GaAs间隔层二上分别进行GaAs波导层二、P型AlzGa1‑zAs限制层以及P型GaAs金属接触层生长。本发明利用晶格常数较小的GaAsP材料，减少了InGaAs材料所带来的应力，以提高多层量子点激光器结构的均匀性和质量。

本发明授权一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法在权利要求书中公布了：1.一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将N型衬底去除氧化层，并在去除氧化层后的N型衬底上分别进行N型GaAs缓冲层、N型AlvGa1-vAs限制层以及GaAs波导层一生长；v组分为20%~90%；S2、在GaAs波导层一上分别进行InwGa1-wAs量子阱、InAs量子点、InxGa1-xAs盖层、GaAs盖层、GaAs间隔层一、P型GaAsyP1-y盖层以及GaAs间隔层二生长；S3、循环S2设定次数，从而实现多层量子点材料的生长；S4、在GaAs间隔层二上分别进行GaAs波导层二、P型AlzGa1-zAs限制层以及P型GaAs金属接触层生长；所述衬底选用GaAs衬底。

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