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龙图腾网恭喜咸亨国际(杭州)电气制造有限公司;咸亨电气技术(杭州)有限公司;咸亨国际科技股份有限公司申请的专利一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411934278.6，技术领域涉及：H04N25/671；该发明授权一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统是由丁一;徐明;李文国;林化夷;马秉宇设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统在说明书摘要公布了：本说明书实施例公开了一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统，实时对校正输出数据进行校正效果分析，并通过多种方式对校正效果不符合条件的校正输出数据进行二次修正，实现实时修正，以保证非均匀性校正的效果，并且在二次修正后的校正输出数据仍不满足要求时中断工作重新测试得到新的校正数据，以新的校正数据对MEMS阵列传感器内部存储的校正数据进行更新，从而有效消除MEMS阵列传感器的外部干扰因素对非均匀性校正的校正效果的影响。

本发明授权一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法，所述MEMS阵列传感器包括多个呈阵列排布传感器阵元，其特征在于，所述校正方法包括：获取初始校正数据、修正模型，并将初始校正数据作为当前校正数据；获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据；基于校正输出数据获取MEMS阵列传感器中的第一坏点阵元数量以及坏点阵元分布情况；基于第一坏点阵元数量、坏点阵元分布情况选择通过均值近似法或修正模型获取修正后校正输出数据，其中，所述均值近似法根据坏点阵元周围多个传感器阵元的校正阵元值的均值修正坏点阵元的校正阵元值，所述修正模型根据MEMS阵列传感器的外部干扰因素输出修正后校正数据对阵列数据进行二次校正；基于修正后校正输出数据获取第二坏点阵元数量；当选择通过均值近似法对校正输出数据进行修正，以获取修正后校正输出数据，且第二坏点阵元数量小于第一预设值时，输出修正后校正输出数据；当选择通过修正模型对校正输出数据进行修正，以获取修正后校正输出数据，且修正后校正输出数据的第二坏点阵元数量小于第一预设值时，输出修正后校正输出数据，并将修正后校正数据作为新的当前校正数据返回所述获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据的步骤；当第二坏点阵元数量大于或等于第一预设值时，获取MEMS阵列传感器在测试环境中采集得到的测试阵列数据，基于测试阵列数据获取测算校正数据，并将测算校正数据作为新的当前校正数据返回所述获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据的步骤。

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