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龙图腾网恭喜上海功成半导体科技有限公司申请的专利基于PNP三级管的IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907059.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权基于PNP三级管的IGBT器件及其制备方法是由侯晓伟;罗杰馨;柴展设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于PNP三级管的IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于PNP三级管的IGBT器件及其制备方法，IGBT器件包括P+注入层、N型衬底、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层及第二导电层，P+注入层上构造有IGBT集电极，N型衬底上形成有N‑漂移区，N‑漂移区上形成有两个P型阱，P型阱上形成有N+区，其中一个N+区上形成有一个P+区，第二导电层构造有IGBT发射极、IGBT门极、PNP集电极、PNP基极和PNP发射极，IGBT发射极与一P型阱上的两个N+区相连接，IGBT门极与PNP集电极相连接且与第一导电层相连接，PNP集电极与另一P型阱相连接，PNP基极与另一P型阱上的N+区相连接，PNP发射极与P+区相连接。

本发明授权基于PNP三级管的IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PNP三级管的IGBT器件，其特征在于：包括从下至上布置的P+注入层、N型衬底、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层以及第二导电层，所述P+注入层上构造有IGBT集电极，所述N型衬底上形成有N-漂移区，所述N-漂移区上形成有第一P型阱和第二P型阱，所述第一P型阱上形成有两个N+区，所述第二P型阱上形成有一个N+区并在该N+区上形成有一个P+区，所述第一导电层构造有第一导电部，所述第二导电层构造有IGBT发射极、IGBT门极、PNP集电极、PNP基极和PNP发射极，所述IGBT发射极穿过所述第二绝缘层与所述第一P型阱上的两个N+区相连接，所述IGBT门极与所述PNP集电极相连接且穿过所述第二绝缘层与所述第一导电部相连接，所述PNP集电极穿过所述第二绝缘层与所述第二P型阱相连接，所述PNP基极穿过所述第二绝缘层与所述第二P型阱上的N+区相连接，所述PNP发射极穿过所述第二绝缘层与所述P+区相连接。

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