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龙图腾网恭喜山东志伟环保科技有限公司申请的专利用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119327226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884093.9，技术领域涉及：B01D53/047；该发明授权用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法及系统是由牛凯;马洪波;刘毅;徐广龙;刘金旭设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及臭氧压缩的技术领域，尤其是涉及一种用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法及系统，其中方法包括：气体压缩：将臭氧和氧气的混合气体经过除水加压，形成有压初始气；吸附分离：调整有压初始气与吸附剂层均匀接触，然后依次穿过流动吸附剂层和固定吸附剂层，并在吸附时，调整气体吹向固定吸附剂层的方向，然后将剩余气体排出；解吸：将吸附剂吸附的臭氧与吸附剂分离，经过压缩形成高纯度臭氧浓缩气。其中系统包括：对混合气体进行预处理的预处理模块、塔体、设置于塔体内的吸附层、连接塔体和预处理模块并用于供气的进气管、设置于塔体上用于排气的排气管和设置于塔体上用于收集臭氧的解吸模块。本申请具有改善吸附效果的效果。

本发明授权用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体清洗刻蚀的臭氧变压吸附浓缩方法，其特征在于：包括以下步骤：气体压缩：将臭氧和氧气的混合气体经过除水加压，形成有压初始气；吸附分离：将有压初始气进行浓度调整，使得有压初始气与吸附剂层均匀接触，吸附剂层采用固定吸附剂层和流动吸附剂层相结合的方式，使得有压初始气首先穿过流动吸附剂层，流动吸附剂层位于网架内部，网架具有弹性，且网架沿竖直方向呈波浪型，在有压初始气的推动下发生晃动形成流体状，流动吸附剂层的流动对穿过的气体进行扰动并改变方向，然后经过流动吸附剂层吸附后的剩余气体再穿过固定吸附剂层，并在穿过固定吸附剂层时，设置导向模块，更改吹向固定吸附剂层的气体的方向，最后经过固定吸附剂层的吸附，将剩余气体排出；解吸：通过采用抽真空的方式，将吸附剂吸附的臭氧与吸附剂分离，经过压缩形成高纯度臭氧浓缩气。

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