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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411746770.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括依次层叠的高势垒多量子阱层、中势垒多量子阱层、低势垒多量子阱层、低势垒末多量子阱层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高P型半导体材料的空穴注入效率，改善多量子阱层中空穴浓度不足的现象，提高多量子阱层中电子空穴浓度的匹配度，以提高多量子阱层中的辐射复合效率，并最终实现提高LED器件的亮度和光效。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括依次层叠的高势垒多量子阱层、中势垒多量子阱层、低势垒多量子阱层、低势垒末多量子阱层；所述高势垒多量子阱层包括交替层叠的第一InGaN层和高势垒量子垒层，所述高势垒量子垒层包括依次层叠的第一GaN层、第一AlGaN层、第二GaN层；所述中势垒多量子阱层包括交替层叠的第二InGaN层和中势垒量子垒层，所述中势垒量子垒层包括依次层叠的第三GaN层、第二AlGaN层、第四GaN层；所述低势垒多量子阱层包括交替层叠的第三InGaN层和GaN量子垒层；所述低势垒末多量子阱层包括交替层叠的第四InGaN层和低势垒量子垒层，所述低势垒量子垒层包括依次层叠的第五GaN层、AlInGaN层、第六GaN层。

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