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龙图腾网恭喜厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种晶体管及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585671.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种晶体管及应用是由谷鹏;宋文杰;钟杰斌;刘胜厚设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶体管及应用，该晶体管包括沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极和复合场板，势垒层设置在沟道层上，源极设置在势垒层上，漏极设置在势垒层上，栅极设置在势垒层上且位于源极和漏极之间，复合场板电连接源极，复合场板包括底部场板和顶部场板，底部场板位于栅极的靠近漏极的一侧，顶部场板位于底部场板的靠近漏极的一侧，底部场板的下表面高于栅极的下表面，底部场板的上表面低于顶部场板的下表面，顶部场板的下表面低于栅极的上表面，顶部场板的上表面高于栅极的上表面。借此设置，该晶体管具有电场分布均匀，寄生电容低的优势，提高晶体管的增益。

本发明授权一种晶体管及应用在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于：所述晶体管包括：沟道层；势垒层，设置在所述沟道层上；源极，设置在所述势垒层上；漏极，设置在所述势垒层上；栅极，设置在所述势垒层上，且位于所述源极和所述漏极之间；复合场板，电连接所述源极；所述复合场板包括底部场板和顶部场板，所述底部场板位于所述栅极的靠近所述漏极的一侧，所述顶部场板位于所述底部场板的靠近所述漏极的一侧，所述底部场板的下表面高于所述栅极的下表面，所述底部场板的上表面低于所述顶部场板的下表面，所述顶部场板的下表面低于所述栅极的上表面，所述顶部场板的上表面高于所述栅极的上表面；其中，所述晶体管还包括底钝化层和顶钝化层，所述底钝化层覆盖所述栅极，所述底部场板设置在所述底钝化层上，所述顶钝化层覆盖所述底钝化层和所述底部场板，所述顶部场板设置在所述顶钝化层上，所述顶部场板的上表面高于所述顶钝化层的对应于所述栅极上方的上表面；所述底部场板于所述栅极的投影不重叠于所述顶部场板于所述栅极的投影。

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