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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411582980.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法是由丁昊;谢志文;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域，LED外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的n型窗口层、n型半导体层、有源层、p型半导体层、p型窗口层，p型窗口层包括周期性分布的超晶格单元，超晶格单元包括依次堆叠设置的AlxIn1‑xP子层、GaxIn1‑xP子层和GaP子层，其中，同一超晶格单元中的三个子层的禁带宽度和掺杂浓度均不同，同一超晶格单元中的GaxIn1‑xP子层的掺杂浓度高于其余两个子层的掺杂浓度，超晶格单元中的相同子层的掺杂浓度沿堆叠方向逐渐增大。本发明在p型窗口层引入超晶格结构，可以提高电流注入效率，降低吸光程度。

本发明授权LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片，其特征在于，所述LED外延片包括：衬底；外延层，设于所述衬底的一侧，所述外延层包括依次堆叠设置的n型窗口层、n型半导体层、有源层、p型半导体层、p型窗口层，所述p型窗口层包括沿堆叠方向周期性分布的超晶格单元，所述超晶格单元包括依次堆叠设置的AlxIn1-xP子层、GaxIn1-xP子层和GaP子层；其中，所述AlxIn1-xP子层、所述GaxIn1-xP子层和所述GaP子层的掺杂源均为Mg或Zn，同一所述超晶格单元中的三个子层的禁带宽度和掺杂浓度均不同，所述x的取值范围为0.5≤x＜1，同一所述超晶格单元中的所述GaxIn1-xP子层的掺杂浓度高于同一所述超晶格单元中的其余子层的掺杂浓度，沿堆叠方向所述超晶格单元中的相同子层的掺杂浓度逐渐增大。

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