恭喜株式会社国际电气新田贵史获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社国际电气申请的专利半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115110058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210050224.8，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置是由新田贵史;石桥清久;镰仓司设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置。本发明能提高在基板上形成的膜的特性。本发明的半导体装置的制造方法包括a和b，a：通过将依次进行如下的a‑1、a‑2和a‑3的循环进行预定次数，在基板上形成含有预定元素的氮化膜的工序，a‑1对基板供给含有预定元素的第一原料气体的工序，a‑2对基板供给含有预定元素且热分解温度比第一原料气体低的第二原料气体的工序，a‑3对基板供给氮化气体的工序，b：对基板供给氧化气体，将a中形成的氮化膜氧化，改性为含有预定元素的氧化膜的工序。
本发明授权半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，包括如下的a和b，a：通过将依次进行如下的a-1、a-2和a-3的循环进行预定次数，在基板上形成含有预定元素的氮化膜的工序，a-1对于所述基板供给含有所述预定元素和卤元素的第一原料气体的工序，a-2对于所述基板供给含有所述预定元素和卤元素且热分解温度比所述第一原料气体低的第二原料气体的工序，a-3对于所述基板供给氮化气体的工序，b：通过对于所述基板供给氧化气体，将a中形成的所述氮化膜氧化，改性为含有所述预定元素的氧化膜的工序。
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