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龙图腾网恭喜华东师范大学申请的专利一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210004745.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管是由孙亚宾;张芮;石艳玲;李小进;刘赟设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，包括垂直排列的纳米片或纳米线沟道，包裹在沟道外、位于栅极及栅极隔离下方的栅极氧化物，分别对称设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极，包裹在沟道外用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离以及设于沟道左右两端、包裹在沟道外的边墙，设置在沟道一端的漏和沟道另一端向源边墙内部延伸的源，设置在底部的衬底。本发明与现有源漏对称型器件相比，向源边墙内部延伸的源增加了源端与沟道的接触面积，载流子线隧穿概率增大，开态电流提升。在关断时，漏端结构与源漏对称型器件漏结构非交叠区域相同，关态电流基本保持不变，故具有更为理想的电流开关比，逻辑响应更快。

本发明授权一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：数条垂直排列的沟道（1）；设于数条沟道（1）左端且向源边墙（8）内部延伸的源（2）；设于数条沟道（1）右端的漏（3）；包裹在各沟道（1）外侧、并与控制栅极（5）和极性栅极（6）及栅极隔离（7）接触的栅极氧化物（4）；对称设置且包裹在栅极氧化物（4）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）；包裹在沟道（1）外侧、设于控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的栅极隔离（7）；设置于控制栅极（5）左侧和源（2）右侧且包裹在沟道（1）外的源边墙（8）；设置于极性栅极（6）右侧和漏（3）左侧且包裹在沟道（1）外的漏边墙（9）；设于上述结构底部的衬底（10）；其中：所述源（2）向源边墙（8）内部延伸的长度小于源边墙（8）的长度，且源（2）延伸的高度等于源边墙（8）的高度；所述栅极隔离（7）的高度等于控制栅极（5）与栅极氧化物（4）高度之和，等于极性栅极（6）与栅极氧化物（4）高度之和。

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