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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利红光微型发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111651379.9，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权红光微型发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本红光微型发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种红光微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该芯片包括：包括：基板、外延结构、第一钝化层、金属增强层、第一电极和第二电极；外延结构包括依次层叠于基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于第一半导体层的表面，且位于凹槽的底面，第二电极位于第二半导体层的表面；第一钝化层至少覆盖第一半导体层、第一电极、凹槽、第二半导体层、第二电极的表面，金属增强层位于第一钝化层上，金属增强层在基板上的正投影位于第一钝化层在基板上的正投影内。本公开实施例能有效缓解因焊接产生的应力，而导致芯片出现裂缝失效的问题。

本发明授权红光微型发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述红光微型发光二极管芯片包括：基板10、外延结构20、第一钝化层31、金属增强层32、第一电极41和第二电极42；所述外延结构20包括依次层叠于所述基板10上的第一半导体层201、多量子阱层202和第二半导体层203，所述第二半导体层203的表面具有露出所述第一半导体层201的凹槽51，所述第一电极41位于所述第一半导体层201的表面，且位于所述凹槽51的底面，所述第二电极42位于所述第二半导体层203的表面；所述第一钝化层31至少覆盖所述第一半导体层201、所述第一电极41、所述凹槽51、所述第二半导体层203、所述第二电极42的表面，所述金属增强层32位于所述第一钝化层31上，所述金属增强层32在所述基板10上的正投影位于所述第一钝化层31在所述基板10上的正投影内；所述凹槽51的底面具有凸起结构53，所述凸起结构53与所述凹槽51靠近所述第二电极42的侧壁相连，所述凸起结构53包括多个阶梯块531，多个所述阶梯块531沿远离所述凹槽51的侧壁的方向依次排列，在远离所述凹槽51的侧壁的方向上，所述阶梯块531在所述凹槽51的侧壁上的正投影的面积逐渐减小。

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