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龙图腾网恭喜华羿微电子股份有限公司申请的专利一种超结型MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911298717.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种超结型MOSFET器件及制备方法是由夏亮;完颜文娟;杨科设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结型MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结型MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有P柱之间的距离缩小时受到P‑体区宽度的限制，导致JFET区的电阻比较高的问题。该器件包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P‑体区和N+源极区；所述P型柱深槽位于所述第一外延层内，且所述第二外延层位于所述P型柱深槽和所述第一外延层的上层；所述P‑体区位于所述第二外延层内，所述P型柱深槽位于所述P‑体区的正下方，且所述P‑体区的宽度小于所述P型柱深槽的宽度；两个所述N+源极区分别位于所述P‑体区的两侧。

本发明授权一种超结型MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述超结型MOSFET器件包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P-体区和N+源极区；所述P型柱深槽位于所述第一外延层内，且所述第二外延层位于所述P型柱深槽和所述第一外延层的上层；所述P-体区位于所述第二外延层内，所述P-体区的槽口位于所述第二外延层的上表面，所述P-体区的深度与所述第二外延层厚度一致，所述P型柱深槽位于所述P-体区的正下方，且所述P-体区的宽度小于所述P型柱深槽的宽度；所述P型柱深槽之间的距离小于所述P-体区之间的距离；两个所述N+源极区分别位于所述P-体区的两侧；制备所述超结型MOSFET器件，包括：通过刻蚀方法在第一外延层内形成P型柱深槽，在所述P型柱深槽上表面以及所述第一外延层的上方形成第二外延层；在所述第二外延层上方依次淀积氧化层和多晶硅层，对位于所述P型柱深槽上方的所述氧化层和所述多晶硅层进行刻蚀，且刻蚀掉的所述氧化层和所述多晶硅层的宽度小于所述P型柱深槽的沟槽宽度，以分别形成栅氧化层和多晶硅栅极；通过离子注入法在位于所述P型柱深槽上方的所述第二外延层内形成P-体区；通过离子注入法在所述P-体区内形成两个N+源极区；在所述多晶硅栅极的上层和所述第二外延层的上层形成绝缘氧化层，通过刻蚀的方法将位于所述第二外延层上的所述绝缘氧化层刻蚀掉，且刻蚀掉的所述绝缘氧化层的宽度小于相邻的两个所述多晶硅栅极之间的宽度；在所述绝缘氧化层和所述第二外延层上通过金属沉淀的方法形成金属层。

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