恭喜苏州实验室杨晓琴获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州实验室申请的专利基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804737.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法是由杨晓琴;鲁佳文;罗炳成;顾泓;肖安康;权佩雯;谢良帅设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于氮化镓‑氧化镓异质结的紫外光突触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，所述基于氮化镓‑氧化镓异质结的紫外光突触器件对紫外光极为敏感，已成功模拟出生物突触的各种特性，其中包括持久光电导效应（PPC）、双脉冲易化（PPF）、短期记忆（STM）向长期记忆（LTM）过渡的可塑性；而且，氮化镓‑氧化镓异质结结构可以延长光传感机制，降低突触事件的能耗还可以增加突触可塑性。此外，该紫外光突触器件具备制备简单、灵敏度高、稳定性好等优点，非常适合工业化生产。
本发明授权基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件，其特征在于，由依次层叠的衬底层、氮化镓层与氧化镓吸光层组成，并在所述氧化镓吸光层的表面设置图形化电极；所述氮化镓层与所述氧化镓吸光层之间形成异质结；其中，所述氮化镓层为非掺杂GaN层；所述氧化镓吸光层为ε-Ga2O3吸光层，且存在氧空位缺陷；所述氧化镓吸光层的制备方法为：利用MOCVD设备在制备好的GaN层上进一步生长ε-Ga2O3吸光层，TMGa流量为495sccm，O2流量设计为低氧含量，350sccm；压力为20kPa；沉积温度为500℃，沉积时间为35min。
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