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龙图腾网恭喜苏州矩阵光电有限公司申请的专利一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411773018.5，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺是由李鑫;朱忻设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺，基于MOCVD工艺通过InSb:Te层与InSb层进行周期性交替生长，形成霍尔元件的掺杂型InSb功能层，可增大InSb材料的带隙，实现InSb薄膜霍尔元件温度系数的降低；进一步地，本发明提供的外延层结构及制备工艺，可以做到均匀掺杂、避免Te掺杂过量，可减少掺杂型InSb功能层的缺陷密度，表面态密度，从而提高了InSb霍尔元件灵敏度、降低了霍尔元件的本底噪声。另外，本发明提供的掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺，对缓冲层、渐变层的生长工艺、材料及厚度等进一步改进，减缓了衬底与InSb薄膜之间的晶格失配，减少InSb薄膜因失配导致的位错密度，得以生长具有更高迁移率的InSb薄膜，进而在霍尔元件上获取更高的灵敏度。

本发明授权一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种掺杂型InSb薄膜的外延层结构，该外延层结构基于MOCVD工艺生长，其特征在于，包括：衬底（101）；缓冲层（102），覆盖于所述衬底（101）的上表面；渐变层（103），覆盖所述缓冲层（102）的上表面；掺杂型InSb:Te层（104），覆盖于所述渐变层（103）的上表面；未掺杂型InSb层（105），覆盖于所述掺杂型InSb层（104）的上表面；所述掺杂型InSb:Te层（104）与所述未掺杂型InSb层（105）组成单周期层，多个单周期层排列在渐变层（103）之上，组成掺杂型InSb功能层（106）；其中，所述掺杂型InSb:Te层（104）的厚度为a，所述未掺杂型InSb层（105）的厚度为b，0.5≤ab≤5；掺杂型InSb功能层（106）中单周期层的层数为N，5≤N≤500；所述单周期层的厚度为c，c=a+b，2nm≤c≤20nm，所述掺杂型InSb功能层（106）的总厚度10nm≤N*c≤10000nm。

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