恭喜三星电子株式会社安国一获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有使用铁电材料的负电容的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110690289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910608974.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有使用铁电材料的负电容的半导体器件是由安国一;赵槿汇;金成玟;朴允文设计研发完成，并于2019-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有使用铁电材料的负电容的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；第一界面层，该第一界面层设置在第一区域中的衬底上并具有第一厚度；第二界面层，该第二界面层设置在第二区域中的衬底上，其中第二界面层包括小于第一厚度的第二厚度；第一栅绝缘层，该第一栅绝缘层设置在第一界面层上并包括第一铁电材料层；第二栅绝缘层，该第二栅绝缘层设置在第二界面层上；第一栅电极，该第一栅电极设置在第一栅绝缘层上；以及第二栅电极，该第二栅电极设置在第二栅绝缘层上。
本发明授权具有使用铁电材料的负电容的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；第一界面层，所述第一界面层设置在所述第一区域中的所述衬底上并具有第一厚度；第二界面层，所述第二界面层设置在所述第二区域中的所述衬底上，其中所述第二界面层具有小于所述第一厚度的第二厚度；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述第一界面层上并包括第一铁电材料层；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述第二界面层上；第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述第一栅绝缘层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极设置在所述第二栅绝缘层上；其中，所述第一区域是输入输出区域，并且所述第二区域是逻辑区域或存储器区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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