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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112448378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910827647.4，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权静电保护电路是由许杞安设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护电路在说明书摘要公布了：一种静电保护电路，包括：电源端、输入焊盘端和接地端、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、内部电路、静电防护结构；内部电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端，第一输入端连接所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第二输入端连接所述输入焊盘端，第三输入端连接所述第三NMOS晶体管漏极；第三PMOS晶体管的源极连接所述电源端，第三PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号端；所述第三NMOS晶体管的源极连接所述接地端，所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号端；所述静电防护结构位于所述内部电路的第二输入端和电源端之间以及第二输入端与接地端之间。本申请的静电保护电路具有很好的静电保护功能。

本发明授权静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：电源端、输入焊盘端和接地端、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、内部电路、静电防护结构；所述内部电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端，所述第一输入端连接所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第二输入端连接所述输入焊盘端，所述第三输入端连接所述第三NMOS晶体管漏极；所述第三PMOS晶体管的源极连接所述电源端，所述第三PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号端；所述第三NMOS晶体管的源极连接所述接地端，所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号端；所述静电防护结构位于所述内部电路的第二输入端和所述电源端之间以及所述内部电路的第二输入端与所述接地端之间；所述静电保护电路还包括控制电路，所述控制电路包括第一控制信号端和第二控制信号端，所述控制电路包括RC电路和与RC电路连接的反相器电路，所述RC电路包括串联的电容和第一电阻，所述反相器电路包括串联的第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的源极与电源端连接，所述第四PMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的漏极连接在一起作为所述第二控制信号端，所述第二控制信号端与所述第三NMOS晶体管的栅极连接，所述第四PMOS晶体管的栅极与第四NMOS晶体管的栅极连接在一起并与所述RC电路中电容和第一电阻之间的电连接点连接作为所述第一控制信号端，所述第一控制信号端与所述第三PMOS晶体管的栅极连接，所述第四NMOS晶体管的源极与所述接地端连接。

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