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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910549829.X，技术领域涉及：H01L21/603；该发明授权用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统是由金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰设计研发完成，并于2019-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统在说明书摘要公布了：提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放。

本发明授权用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统在权利要求书中公布了：1.一种晶片键合设备，所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分施加压力，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及气体注入器，所述气体注入器用于通过将填充气体注入到所述下晶片的周缘部分和所述上晶片的周缘部分之间的间隙中以对抗所述上晶片的所述周缘部分的下落来控制所述上晶片的所述周缘部分与所述下晶片的所述周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的所述周缘部分和所述下晶片的所述周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放，其中，所述下卡盘包括下主体和多个支撑销，所述多个支撑销从所述下主体向上突出，使得从所述下主体的周缘部分到所述下主体的中心部分，所述支撑销的突出高度增大，其中，所述下主体被台阶部分分成内部部分和外部部分，所述台阶部分从所述下主体的上表面突出并且成形为沿着所述下主体的圆周线延伸的环，并且所述内部部分包括所述下主体的所述中心部分和所述周缘部分，并且其中，在所述下主体的中心部分处布置有升降孔并且在所述升降孔周围布置有升降引导件，所述多个支撑销中的接近所述台阶部分的支撑销具有最小高度，并且所述多个支撑销中的接近所述升降引导件的支撑销具有最大高度。

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