恭喜朗姆研究公司大卫·查尔斯·史密斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利含金属硬掩模薄膜的选择性生长获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112368804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980043731.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权含金属硬掩模薄膜的选择性生长是由大卫·查尔斯·史密斯;乔恩·亨利;丹尼斯·M·豪斯曼;保罗·C·莱曼利设计研发完成，并于2019-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本含金属硬掩模薄膜的选择性生长在说明书摘要公布了：本文提供用于选择性生长含金属硬掩模的方法和装置。所述方法包括：提供具有分隔特征的图案的衬底，各特征具有顶部水平表面；用含碳材料填充分隔特征之间的空间，以形成具有特征的顶部水平表面和含碳材料的平坦表面；相对于含碳材料在特征的顶部水平表面上选择性地沉积含金属硬掩模；以及相对于含金属硬掩模和特征而选择性地移除含碳材料。
本发明授权含金属硬掩模薄膜的选择性生长在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的方法，其包括：提供图案化半导体衬底，其在待蚀刻的下伏材料上具有分隔开的特征；用可灰化填充物填充所述特征之间的空间，使得所述特征的顶部水平表面暴露，且所述特征的侧壁接触所述可灰化填充物；在填充所述特征之间的所述空间后，相对于所述可灰化填充物在所述特征的所暴露的所述顶部水平表面上选择性地沉积含金属硬掩模；以及相对于所述特征和所述含金属硬掩模移除所述可灰化填充物；其中所述特征含有介电材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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