恭喜朗姆研究公司阿希尔·辛格哈尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利从室清除SnO2膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112640041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980053179.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权从室清除SnO2膜的方法是由阿希尔·辛格哈尔;达斯汀·扎卡里·奥斯丁;何钟硕;刘培池设计研发完成，并于2019-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本从室清除SnO2膜的方法在说明书摘要公布了：提供了一种从处理室清除SnO2残留物的方法以作为一实施方案。该方法实施方案包含将烃气和氢气以1％至60％的比率引入等离子体处理系统中。利用由等离子体源所产生的等离子体以从处理室的表面蚀刻该SnO2残留物。该SnH4气体与该烃气进行反应以生成可挥发的有机锡化合物。该方法还提供将该有机锡化合物从该处理室中排空。以1％至60％的比率将该烃气与该氢气一起引入使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。
本发明授权从室清除SnO2膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种从处理室清除SnO2残留物的方法，其包含：将烃气和氢气引入等离子体处理系统中；利用由所述等离子体处理系统的等离子体源所产生的等离子体从所述处理室的表面蚀刻结晶形式的所述SnO2残留物，使用所述氢气蚀刻所述SnO2残留物而产生SnH4气体，所述SnH4气体与所述烃气进行反应以生成能挥发的有机锡化合物，其中从所述SnH4气体生成所述有机锡化合物使得能用于分解成Sn粉末的SnH4气体的量减少；以及将所述有机锡化合物从所述处理室中排空，其中所述烃气的流量比所述氢气的流量的比率是至少1%的烃气比氢气并且是小于60%的烃气比氢气，其中将所述烃气和所述氢气引入至所述处理室中以通过CCP源而产生等离子体，以及引入至ICP源中以通过所述ICP源而产生等离子体，其中由所述CCP源和所述ICP源所产生的自由基被用于所述蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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