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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装、堆叠封装器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110581119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910479544.3，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装、堆叠封装器件及其制造方法是由李锡贤;吴琼硕设计研发完成，并于2019-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装、堆叠封装器件及其制造方法在说明书摘要公布了：可以提供一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底的第一表面上；连接衬底，在封装衬底上，与半导体芯片间隔开并围绕半导体芯片，连接衬底包括穿透连接衬底的多个导电连接结构；多个第一连接元件，在半导体芯片与封装衬底之间，并且将半导体芯片电连接至封装衬底；多个第二连接元件，在连接衬底与封装衬底之间，并且将连接衬底电连接至封装衬底；模具层，包封半导体芯片和连接衬底；以及上部再分布图案，在模具层和半导体芯片上，并且电连接至多个导电连接结构中的相应导电连接结构。

本发明授权半导体封装、堆叠封装器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：第一封装衬底；第一半导体芯片，在所述第一封装衬底的第一表面上；多个第一连接元件，在所述第一半导体芯片与所述第一封装衬底之间，所述多个第一连接元件将所述第一半导体芯片电连接至所述第一封装衬底；连接衬底，在所述第一封装衬底上，所述连接衬底与所述第一半导体芯片间隔开并围绕所述第一半导体芯片，所述连接衬底包括：顺序堆叠的两个或更多个绝缘层；以及多个导电结构，所述多个导电结构中的每个导电结构至少包括彼此电连接的两个或更多个连接通道部分和两个或更多个连接导电图案部分，所述两个或更多个连接通道部分分别穿透所述两个或更多个绝缘层中的相应绝缘层，所述两个或更多个连接导电图案部分分别在所述两个或更多个绝缘层中的相应绝缘层上；多个第二连接元件，在所述连接衬底与所述第一封装衬底之间，所述多个第二连接元件将所述连接衬底电连接至所述第一封装衬底；模具层，包封所述第一半导体芯片和所述连接衬底；以及上部再分布图案，在所述模具层和所述第一半导体芯片上，所述上部再分布图案包括再分布通道部分以及再分布导电图案部分，所述再分布通道部分穿透所述模具层并电连接至所述多个导电结构中的相应导电结构，所述再分布导电图案部分在所述模具层上并连接至所述再分布通道部分。

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