恭喜长鑫存储技术有限公司鲍锡飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容器及其制作方法、存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910267929.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容器及其制作方法、存储装置是由鲍锡飞设计研发完成，并于2019-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器及其制作方法、存储装置在说明书摘要公布了：本公开是关于一种电容器及其制作方法、存储装置，所述电容器制作方法包括：提供一基底，并在所述基底上形成接触层，所述接触层远离所述基底的表面包括至少一个接触区，所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；形成覆盖所述接触层的支撑层；在所述支撑层上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔；在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，所述第一电极和所述接触区接触。
本发明授权电容器及其制作方法、存储装置在权利要求书中公布了：1.一种电容器制作方法，其特征在于，所述电容器制作方法包括：提供一基底，并在所述基底上形成接触层，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面均具有至少两级阶梯结构；形成覆盖所述接触层的支撑层；在所述支撑层上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔；在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，所述第一电极和所述接触区接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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