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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利非晶碳层的打开处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111684567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980011696.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权非晶碳层的打开处理是由秦策;谭忠魁;毛伊莎;金艳莎;奥斯汀·凯西·福西特设计研发完成，并于2019-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本非晶碳层的打开处理在说明书摘要公布了：提供了一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法。打开非晶碳层掩模包括：执行一个或多个循环，其中每个循环包括非晶碳层掩模的打开阶段和清洁阶段。所述非晶碳层掩模的打开阶段包括：使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；由所述打开气体产生等离子体，所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及停止所述打开气体的流动。所述清洁阶段包括：使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；由所述清洁气体产生等离子体；以及停止所述清洁气体流入等离子处理室。

本发明授权非晶碳层的打开处理在权利要求书中公布了：1.一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法，其包括在等离子体处理室中执行一个或多个循环，其中每个循环包括：非晶碳层掩模的打开阶段，其包括：使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；在所述等离子体处理室中由所述打开气体产生等离子体，其中所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及停止所述打开气体流入所述等离子体处理室；和清洁阶段，其包括：使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；在所述等离子体处理室中由所述清洁气体产生等离子体；以及停止所述清洁气体流入所述等离子处理室，并且其中所述非晶碳层掩模的打开阶段在所述非晶碳层掩模中的特征上形成重新沉积的硬掩模，并且其中所述清洁阶段去除所述重新沉积的硬掩模并将含碳层沉积在所述非晶碳层掩模中的所述特征的侧壁上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。